- 部品番号TPS1101DR
- ブランドTexas Instruments
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 3,188
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価格:
- 1$1.15731
- 2,500$1.15731
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:P-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:15 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:2.3A (Ta)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:2.7V, 10V
- rds on（max）@ id、vgs:90mOhm @ 2.5A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:1.5V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:11.25 nC @ 10 V
- vgs（最大）:+2V, -15V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:-
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:791mW (Ta)
- 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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