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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Not For New Designs
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):60 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:300mA (Ta)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):5V, 10V
  • rds on(max)@ id、vgs:5Ohm @ 100mA, 10V
  • vgs(th)(max)@ id:2.5V @ 250µA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:0.4 nC @ 4.5 V
  • vgs(最大):±20V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:7.32 pF @ 25 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):400mW (Ta)
  • 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-92
  • パッケージ/ケース:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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