- 部品番号TSM4ND65CI
- ブランドTSC (Taiwan Semiconductor)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 3,944
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価格:
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技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:650 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:4A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
- rds on（max）@ id、vgs:2.6Ohm @ 1.2A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:3.8V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:16.8 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±30V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:596 pF @ 50 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:41.6W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Through Hole
- サプライヤーデバイスパッケージ:ITO-220
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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