技術的な詳細

• シリーズ:*
• パッケージ:Tube
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1200 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:36A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:20V
• rds on（max）@ id、vgs:90mOhm @ 18A, 20V
• vgs（th）（max）@ id:5.8V @ 20mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:67 nC @ 20 V
• vgs（最大）:±25V, -10V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:1680 pF @ 800 V
• fet機能:Standard
• 消費電力（最大）:272W (Tc)
• 作動温度:-55°C ~ 175°C
• 取付タイプ:Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3P(N)
• パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3