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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Active
  • 駆動構成:Half-Bridge
  • チャネルタイプ:Independent
  • ドライバーの数:2
  • ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
  • 電圧-供給:8V ~ 17V
  • 論理電圧-vil、vih:0.8V, 2.5V

 

  • 電流-ピーク出力(ソース、シンク):3A, 3A
  • 入力方式:Non-Inverting
  • ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ):120 V
  • 立ち上がり/立ち下がり時間(標準):8ns, 7ns
  • 作動温度:-40°C ~ 140°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:Die
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Die

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