技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Tube
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:SiCFET (Cascode SiCJFET)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1200 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:18.4A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:12V
• rds on（max）@ id、vgs:180mOhm @ 5A, 12V
• vgs（th）（max）@ id:5.5V @ 10mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:25.7 nC @ 12 V
• vgs（最大）:±25V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:738 pF @ 100 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:166.7W (Tc)
• 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
• 取付タイプ:Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-4
• パッケージ/ケース:TO-247-4