技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:60 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:9A (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:-
• rds on（max）@ id、vgs:26mOhm @ 4.5A, 10V
• vgs（th）（max）@ id:2.5V @ 1mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:31 nC @ 10 V
• vgs（最大）:-
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:1700 pF @ 10 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:-
• 作動温度:-
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:8-PSOP
• パッケージ/ケース:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)