技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Obsolete
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:20 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:3A (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:-
• rds on（max）@ id、vgs:50mOhm @ 3A, 10V
• vgs（th）（max）@ id:2V @ 250µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:3.1 nC @ 4.5 V
• vgs（最大）:-
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:190 pF @ 10 V
• fet機能:Schottky Diode (Isolated)
• 消費電力（最大）:-
• 作動温度:-
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:6-MLP (3x3)
• パッケージ/ケース:6-VDFN Exposed Pad