技術的な詳細

• シリーズ:HiPerFET™
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Obsolete
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:100 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:590A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:-
• rds on（max）@ id、vgs:2.1mOhm @ 500mA, 10V
• vgs（th）（max）@ id:-

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:2000 nC @ 10 V
• vgs（最大）:-
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:50000 pF @ 25 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:2200W
• 作動温度:-
• 取付タイプ:Chassis Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:Module
• パッケージ/ケース:Module