- 部品番号WNSC08650T6J
- ブランドWeEn Semiconductors Co., Ltd
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明SILICON CARBIDE POWER DIODE
- カテゴリーダイオード-整流器-シングル
在庫あり: 3,000
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価格:
- 1$3.03
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電圧-DCリバース（vr）（最大）:650 V
- 現在-平均整流（io）:8A
- 電圧-順方向（vf）（最大）@ if:1.7 V @ 8 A
- 速度:No Recovery Time > 500mA (Io)
- 逆回復時間（trr）:0 ns
- 電流-逆リーク@vr:50 µA @ 650 V
- 静電容量@ vr、f:267pF @ 1V, 1MHz
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:4-VDFN Exposed Pad
- サプライヤーデバイスパッケージ:5-DFN (8x8)
- 作動温度-ジャンクション:175°C (Max)
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