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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Tray
  • 部品ステータス:Obsolete
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):900 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:10A (Ta)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):10V
  • rds on(max)@ id、vgs:1.3Ohm @ 5A, 10V
  • vgs(th)(max)@ id:-

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:75 nC @ 10 V
  • vgs(最大):±30V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:1500 pF @ 30 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):2.5W (Ta), 190W (Tc)
  • 作動温度:150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3PB
  • パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3

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