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技術的な詳細

  • シリーズ:HEXFET®
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Obsolete
  • fetタイプ:2 N-Channel (Dual)
  • fet機能:Logic Level Gate
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):30V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:5.3A
  • rds on(max)@ id、vgs:50mOhm @ 2.7A, 10V

 

  • vgs(th)(max)@ id:3V @ 100µA
  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:21nC @ 10V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:515pF @ 25V
  • パワー-最大:2.4W
  • 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-SO

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