- 部品番号BSM600C12P3G201
- ブランドROHM Semiconductor
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 3
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価格:
- 1$1200
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Tray
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1200 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:600A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:-
- rds on（max）@ id、vgs:-
- vgs（th）（max）@ id:5.6V @ 182mA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:-
- vgs（最大）:+22V, -4V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:28000 pF @ 10 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:2460W (Tc)
- 作動温度:175°C (TJ)
- 取付タイプ:Chassis Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- パッケージ/ケース:Module
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