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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:P-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):30 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:1.1A
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):-
  • rds on(max)@ id、vgs:462mOhm @ 300mA, 4.5V
  • vgs(th)(max)@ id:1.5V @ 250µA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:1 nC @ 4.5 V
  • vgs(最大):+5.5V, -300mV
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:85 pF @ 15 V
  • fet機能:Schottky Diode (Isolated)
  • 消費電力(最大):1W (Ta)
  • 作動温度:-55°C ~ 125°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ:4-WLCSP (1x1)
  • パッケージ/ケース:4-XFBGA, WLCSP

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