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技術的な詳細

  • シリーズ:CoolSiC™
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):1.2 kV
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:4.7A (Tc)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):15V, 18V
  • rds on(max)@ id、vgs:350mOhm @ 2A, 18V
  • vgs(th)(max)@ id:5.7V @ 1mA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:5.3 nC @ 18 V
  • vgs(最大):+23V, -7V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:182 pF @ 800 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):60W (Tc)
  • 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ:Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO247-4-1
  • パッケージ/ケース:TO-247-4

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