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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Active
  • 駆動構成:Half-Bridge
  • チャネルタイプ:Independent
  • ドライバーの数:2
  • ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
  • 電圧-供給:10V ~ 20V
  • 論理電圧-vil、vih:0.8V, 2.9V

 

  • 電流-ピーク出力(ソース、シンク):200mA, 350mA
  • 入力方式:Non-Inverting
  • ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ):600 V
  • 立ち上がり/立ち下がり時間(標準):150ns, 50ns
  • 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:14-DIP

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