技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:40 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:100A (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:-
• rds on（max）@ id、vgs:1.55mOhm @ 25A, 10V
• vgs（th）（max）@ id:1.95V @ 1mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:126 nC @ 10 V
• vgs（最大）:±20V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:7790 pF @ 20 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:288W (Ta)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:LFPAK56; Power-SO8
• パッケージ/ケース:SOT-1023, 4-LFPAK