技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Tube
• 部品ステータス:Obsolete
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:GaNFET (Gallium Nitride)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:650 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:15A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
• rds on（max）@ id、vgs:180mOhm @ 10A, 10V
• vgs（th）（max）@ id:4.8V @ 500µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:7.1 nC @ 10 V
• vgs（最大）:±20V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:576 pF @ 400 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:69W (Tc)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:3-PQFN (8x8)
• パッケージ/ケース:3-PowerDFN